Menu Navigation

SIA912DJ-T1-GE3
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
thumb-0

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6


fabricante: Vishay / Siliconix

Hoja de datos: SIA912DJ-T1-GE3

precio:

USD $0.36

Stock: 93 pcs

Parámetro del producto

serie
TrenchFET®
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
embalaje
Cut Tape (CT)
característica
Logic Level Gate
Estatuto parcial
Obsolete
La potencia - Max
6.5W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Número de Base
SIA912
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Paquete de dispositivo para el proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 8V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
12V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 6V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
4.5A

Usted también puede estar interesado en