SISF20DN-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo de FET

2 N-Channel (Dual)

embalaje

Cut Tape (CT)

característica

Standard

Estatuto parcial

Active

La potencia - Max

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

PowerPAK® 1212-8SCD

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7A, 10V

Paquete de dispositivo para el proveedor

PowerPAK® 1212-8SCD

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

60V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 30V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

14A (Ta), 52A (Tc)