SIZ900DT-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 N-Channel (Half Bridge)

embalaje

Digi-Reel®

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

48W, 100W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

6-PowerPair™

Número de Base

SIZ900

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 19.4A, 10V

Paquete de dispositivo para el proveedor

6-PowerPair™

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 15V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

24A, 28A