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CWDM3011N TR13
Las imágenes son sólo para referencia. Consulte especificaciones del producto para obtener detalles del producto
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CWDM3011N TR13

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC


fabricante: Central Semiconductor Corp

Hoja de datos: CWDM3011N TR13

precio:

USD $0.13

Stock: 2490 pcs

Parámetro del producto

serie
-
Tipo de FET
N-Channel
embalaje
Digi-Reel®
Vgs (Max)
20V
tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
característica
-
Estatuto parcial
Active
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete/caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Disipotencia (Max)
2.5W (Ta)
Paquete de dispositivo para el proveedor
8-SOIC
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 5V
Drenar a tensión de fuente (Vdss)
30V
Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 15V
Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)
4.5V, 10V

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