CWDM3011P TR13

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Disipotencia (Max)

2.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOIC

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 8V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V