NTHD2102PT1G

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

2 P-Channel (Dual)

embalaje

Cut Tape (CT)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

1.1W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SMD, Flat Lead

Número de Base

NTHD2102P

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

ChipFET™

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 2.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

8V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

715pF @ 6.4V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

3.4A