NTHD2110TT1G

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±8V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SMD, Flat Lead

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6.4A, 4.5V

Disipotencia (Max)

1.1W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

ChipFET™

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

12V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1072pF @ 6V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

4.5A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.8V, 4.5V