2SK4150TZ-E

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±10V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7Ohm @ 200mA, 4V

Disipotencia (Max)

750mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

TO-92

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

250V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

400mA (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

2.5V, 4V