HAT1047RWS-E

Parámetro del producto

---

serie

-

Tipo de FET

P-Channel

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Disipotencia (Max)

2.5W (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

8-SOP

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

14A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

4.5V, 10V