HAT1069C-EL-E

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

P-Channel

Vgs (Max)

±8V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

6-SMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

Disipotencia (Max)

900mW (Ta)

Paquete de dispositivo para el proveedor

6-CMFPAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

12V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

4A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.8V, 4.5V