HAT2170H-EL-E

Parámetro del producto

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serie

-

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 22.5A, 10V

Disipotencia (Max)

30W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

LFPAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4650pF @ 10V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

45A (Ta)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

7V, 10V