STB200NF03T4

Parámetro del producto

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serie

STripFET™ III

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de Base

STB200N

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 60A, 10V

Disipotencia (Max)

300W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

D2PAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

30V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4950pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V