STB200NF04-1

Parámetro del producto

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serie

STripFET™ II

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Tube

Vgs (Max)

±20V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Obsolete

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete/caja

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Número de Base

STB200N

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 90A, 10V

Disipotencia (Max)

310W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

I2PAK

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

40V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

10V