SI2342DS-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

N-Channel

embalaje

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±5V

tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

característica

-

Estatuto parcial

Active

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.2A, 4.5V

Disipotencia (Max)

2.5W (Tc)

Paquete de dispositivo para el proveedor

SOT-23

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

8V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1070pF @ 4V

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Tensión de accion(máximo encendido, mínimo encendido)

1.2V, 4.5V