SI7983DP-T1-GE3

Parámetro del producto

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serie

TrenchFET®

Tipo de FET

2 P-Channel (Dual)

embalaje

Tape & Reel (TR)

característica

Logic Level Gate

Estatuto parcial

Obsolete

La potencia - Max

1.4W

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete/caja

PowerPAK® SO-8 Dual

Número de Base

SI7983

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 600µA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Paquete de dispositivo para el proveedor

PowerPAK® SO-8 Dual

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 4.5V

Drenar a tensión de fuente (Vdss)

20V

Capacide entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-

Corriente - drenaje continuo (Id) @ 25°C

7.7A